Datenblätter DDR-Halbleiter




Feldeffekttransistoren

MOSFET
Typ UDSmax [V] IDmax [mA] UGSmax [V] y21S [mA/V] UP [V] Ptot [mW] Aufbau Bemerkung Bauform
SM 101 20 15 -10 ... +5 0,5 -15 100 n-Kanal 1
SM 102 20 20 -10 ... +5 0,8 -10 100 n-Kanal 1
SM 103 15 15 -15 ... +5 1,7 -7,5 150 n-Kanal 2
SM 104 15 15 -15 ... +5 1,3 -5,5 150 n-Kanal 2
SM 200 20 30 -0,3 ... +15 -2,5 300 n-Kanal, Dual-Gate 3
SME 992 20 40 20 -1,1 200 n-Kanal, Dual-Gate 4
SME 994 20 30 15 -2,0 200 n-Kanal, Dual-Gate 4
SME 996 20 30 15 -2,0 200 n-Kanal, Dual-Gate 4
SMY 50 -31 -25 -31 ... +31 3,6 -3 225 p-Kanal 5
SMY 51 -31 -25 -31 ... +31 3,6 -2 200 p-Kanal, Doppeltransistor 6
SMY 52 -31 -60 -31 ... +31 12,5 -3 300 p-Kanal 5
SMY 60 -25 -20 -30 ... +30 -3 250 p-Kanal, Doppeltransistor 7
VFE 15 5 100 -5 ... +0,5 20 350 GaAs, n-Kanal 8
UDSmax = Maximale Drain-Source-Spannung
IDmax = Maximaler Drainstrom
UGSmax = Maximale Spannung zwischen Gate und Source
y21S = Vorwärtssteilheit
UP = Schwellspannung
Ptot = Gesamtverlustleistung

Bauform 1Bauform 2Bauform 3Bauform 4Bauform 5Bauform 6Bauform 7Bauform 8

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